Proyecto de I+D+i:
Fabrication of high quality non-polar AlN, GaN, AlGaN and InGaN
Fabrication of high quality non-polar AlN, GaN, AlGaN and InGaN
Año:2019
Áreas de investigación
-
Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con líneas de investigación del GDS ISOM | |
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Internacional
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Si |
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Tipo de proyecto
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Proyectos y convenios de financiación privada |
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Entidad financiadora
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Contrato convenio Fengyie Xie-FUNDETEL |
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Nacionalidad Entidad
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Sin nacionalidad |
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Tamaño de la entidad
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Desconocido |
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Fecha concesión
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20/06/2018 |
Participantes
- Director: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Departamento: Ingeniería Electrónica
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
S2i 2023 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)