Memorias de investigación
Proyecto de I+D+i:
Fabrication of high quality non-polar AlN, GaN, AlGaN and InGaN
Año:2019
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS ISOM
Internacional
Si
Tipo de proyecto
Proyectos y convenios de financiación privada
Entidad financiadora
Contrato convenio Fengyie Xie-FUNDETEL
Nacionalidad Entidad
Sin nacionalidad
Tamaño de la entidad
Desconocido
Fecha concesión
20/06/2018
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología