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(S)TEM methods contributions to improve the fabrication of InGaN thin films on Si, and InN nanostructures on flat Si and rough InGaN
(S)TEM methods contributions to improve the fabrication of InGaN thin films on Si, and InN nanostructures on flat Si and rough InGaN
Año:2019
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS |
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ISSN
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0925-8388 |
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Factor de impacto JCR
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3,779 |
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Información de impacto
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Volumen
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783 |
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DOI
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10.1016/j.jallcom.2018.12.319 |
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Número de revista
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Desde la página
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697 |
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Hasta la página
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708 |
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Mes
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Ranking
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Participantes
- Autor:
p. aseev (UPM) - Autor: p. e. d. soto rodriguez
- Autor: j. j. jimenez
- Autor: z. gacevic (UPM)
- Autor: j. m. manuel
- Autor: e. calleja (UPM)
- Autor: r. notzel
- Autor: r. garcia
- Autor: f. m. morales
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: No seleccionado
- Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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