Memorias de investigación
Artículos en revistas:
(S)TEM methods contributions to improve the fabrication of InGaN thin films on Si, and InN nanostructures on flat Si and rough InGaN
Año:2019
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
ISSN
0925-8388
Factor de impacto JCR
3,779
Información de impacto
Volumen
783
DOI
10.1016/j.jallcom.2018.12.319
Número de revista
Desde la página
697
Hasta la página
708
Mes
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: p. aseev UPM
  • Autor: p. e. d. soto rodriguez
  • Autor: j. j. jimenez
  • Autor: z. gacevic UPM
  • Autor: j. m. manuel
  • Autor: e. calleja UPM
  • Autor: r. notzel
  • Autor: r. garcia
  • Autor: f. m. morales
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica