Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Giant Reflection Coefficient on Sc0.26Al0.74N Polycrystalline. Diamond SAW Resonators
Año:2019
Áreas de investigación
  • Materiales para ingeniería eléctrica y electrónica,
  • Tecnología de dispositivos para ingeniería eléctrica y electrónica
Datos
Descripción
Since the commercialization of surface acoustic wave (SAW) devices, the technology is steadily increasing the device performances without compromising their power handling, size and price. Herein, one?port SAW resonators are fabricated on scandium aluminum nitride (Sc0.26Al0.74N)/polycrystalline diamond heterostructures. SAW propagation properties are studied using three different piezoelectric thin?film thicknesses within the heterostructure. The Rayleigh and Sezawa resonance frequencies are above 1.5 and 2.5?GHz, respectively, achieving Sezawa mode reflection coefficients below ?50?dB. The polycrystalline diamond substrate is synthesized by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) on top of a 500 ?m?thick Si (001) substrate. The Sc0.26Al0.74N thin films are synthesized by reactive sputtering at nominally room temperature. The thin film's composition is analyzed by Rutherford backscattering spectrometry (RBS). The full width at half maximum (FWHM) of the X?ray diffraction (XRD) ? scans below 3° indicates that the synthesized Sc0.26Al0.74N thin films are highly c?axis oriented. The electromechanical coupling coefficient, quality factor, and dielectric loss parameters are computed by curve fitting the device electrical measurements to the simulation results of a modified Butterworth Van Dyke (mBVD) model implemented in the advance design system (ADS) tool.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
physica status solidi (a)
ISSN
1862-6300
Factor de impacto JCR
Información de impacto
Volumen
DOI
10.1002/pssa.201900360
Número de revista
Desde la página
1900360
Hasta la página
1900360
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Miguel Sinusia Lozano (UPM)
  • Autor: Gonzalo Fuentes Iriarte (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ciencia de Materiales
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
S2i 2023 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)