Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Hydrogen Passivation of N:GaAs Studied by Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy
Año:2019
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con línea de investigación del GDS ISOM
Internacional
Si
Nombre congreso
21st International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials.
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Cambridge, (UK)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
09/04/2019
Fecha fin congreso
12/04/2019
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Título de las actas
Proceedings
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: D. Tjeertes
  • Autor: Alicia Gonzalo Martin (UPM)
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
  • Autor: M.S Sharma
  • Autor: M. Felici
  • Autor: F. Biccari
  • Autor: M. Gurioli
  • Autor: P.M. Koenraad
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ciencia de Materiales
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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