Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Cursos, seminarios y tutoriales:
b-Ga2O3 Materials and Devices: MBE and MOCVD Comparisons and Record Transport Properties From the Perspective of Defects
Año:2019
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con linea de investigacion del GDS ISOM
Internacional
No
Nombre congreso
Seminarios internos
Entidad organizadora
ISOM-ETSIT
Nacionalidad Entidad
Sin nacionalidad
Lugar/Ciudad de impartición
Madrid, España
Fecha inicio
09/09/2019
Fecha fin
06/09/2019
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Prof. Steven A. Ringel.
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2021 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
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