Memorias de investigación
Cursos, seminarios y tutoriales:
b-Ga2O3 Materials and Devices: MBE and MOCVD Comparisons and Record Transport Properties From the Perspective of Defects
Año:2019
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con linea de investigacion del GDS ISOM
Internacional
No
Nombre congreso
Seminarios internos
Entidad organizadora
ISOM-ETSIT
Nacionalidad Entidad
Sin nacionalidad
Lugar/Ciudad de impartición
Madrid, España
Fecha inicio
09/09/2019
Fecha fin
06/09/2019
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica