Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Demonstrating the GaInP/GaAs three-terminal Heterojunction Bipolar Transistor Solar Cell
Año:2019
Áreas de investigación
  • Energía solar,
  • Generación fotovoltaica
Datos
Descripción
The three-terminal heterojunction bipolar transistor solar cell (HBTSC) concept enables the realization of a monolithic double-junction device with individual current extraction. We present an HBTSC realized by a heterojunction of GaInP and GaAs. The one-sun open-circuit voltage (VOC ) of the top and bottom junctions are 1.33 V and 0.99 V, respectively, while fill factors (FF) are above 80%. At one-sun illumination, reducing one junction?s bias from VOC to maximum power point degrades the performance of the other junction only slightly (< 0.5% efficiency loss)
Internacional
Si
Nombre congreso
46th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Chicago (IL) EEUU
Revisores
Si
ISBN o ISSN
9781728104942
DOI
Fecha inicio congreso
16/06/2019
Fecha fin congreso
21/06/2019
Desde la página
35
Hasta la página
40
Título de las actas
Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Departamento: Electrónica Física
  • Departamento: Ingeniería Eléctrica, Electrónica Automática y Física Aplicada
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar