Ponencias en congresos:
Effect of capping rate on InAs/GaAs quantum dot solar cells
Año:2019
Áreas de investigación
- Ingenierías
Datos
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Descripción
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| The unavoidable presence of the wetting layer (WL) in Stranski-Krastanov quantum dots (QD) has typically a negative impact on the performance of QD solar cells. In this work, a simple method to engineer the WL of InAs/GaAs QD solar cells is investigated | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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SPIE OPTO |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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San Francisco (EE.UU) |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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0277-786X |
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DOI
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10.1117/12.2509484 |
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Fecha inicio congreso
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02/02/2019 |
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Fecha fin congreso
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07/02/2019 |
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Desde la página
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1091312 |
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Hasta la página
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1091319 |
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Título de las actas
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Proceedings of SPIE |
Ver publicación en Archivo digital upm
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: L. Stanojevic
- Autor: A. Gonzalo
- Autor: A.D. Utrilla
- Autor: D.F. Reyes
- Autor: V. Braza
- Autor: D. González
- Autor: David Fuertes Marron UPM
- Autor: A. Hierro
- Autor: J.M. Ulloa
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
- Departamento: Electrónica Física
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar