Artículos en revistas:
Nanostructural changes upon substitutional Al doping in ZnO sputtered films
Año:2019
Áreas de investigación
- Energía solar
Datos
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Descripción
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| Al:ZnO layers, with low and high Al content, 0.2% and 2.1% cat. respectively, have been prepared using the RFmagnetron sputtering technique. Noticeable differences in the optical and electrical properties have been de-tected in thesefilms | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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Ceramics International |
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ISSN
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0272-8842 |
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Factor de impacto JCR
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3,83 |
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Información de impacto
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Volumen
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45 |
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DOI
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10.1016/j.ceramint.2018.12.116 |
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Número de revista
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Desde la página
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6319 |
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Hasta la página
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6327 |
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Mes
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SIN MES |
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Ranking
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: A.R. Landa-Cánovas
- Autor: J. Santiso
- Autor: F. Agulló-Rueda
- Autor: P. Herrero
- Autor: E. Navarrete-Astorga
- Autor: E. Ochoa-Martínez
- Autor: J.R. Ramos-Barrado
- Autor: Maria Mercedes Gabas Perez UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
- Departamento: Electrónica Física
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar