Memorias de investigación
Stays or Sabbaticals:
Estancia de la Doctorando Doña Raquel Gargallo Caballero, en la University of Sheffield, Department of Electronic and Electrical Engineering, III/V Facility of the EPSRC National Center for III-V Technologies, Sheffield (Reino Unido), para Crecimiento mediante Epitaxia por Haces Moleculares (MBE) de nanoestructuras de punto cuántico para su aplicación en detectores de infrarrojo, duración de la estancia 3 meses del 29/05/2007 al 31/08/2007.
Year:2007
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
Estancia de la Doctorando Doña Raquel Gargallo Caballero, en la University of Sheffield, Department of Electronic and Electrical Engineering, III/V Facility of the EPSRC National Center for III-V Technologies, Sheffield (Reino Unido), para Crecimiento mediante Epitaxia por Haces Moleculares (MBE) de nanoestructuras de punto cuántico para su aplicación en detectores de infrarrojo, duración de la estancia 3 meses del 29/05/2007 al 31/08/2007.
International
Si
Place
University of Shefield, UK
Type
Miembros en el extranjero
Start Date
29/05/2007
End Date
31/08/2007
Participants
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica