Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Z. BOUGRIOUA, P. GIBART, E. CALLEJA, U. JAHN, A. TRAMPERT, J. RISTIC, M. UTRERA, G. NATAF "Growth of free-standing GaN using Pillar-Epitaxial Lateral Overgrowth from GaN nanocolumns" Journal of Crystal Growth, 309, 113-115 (2007) ISSN: 0022-0248
Año:2007
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con línea de investigación de Nanoestructuras de nitruros
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
J CRYST GROWTH
ISSN
0022-0248
Factor de impacto JCR
1,95
Información de impacto
Volumen
DOI
Número de revista
309
Desde la página
113
Hasta la página
115
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: G. NATAF
  • Autor: Z. BOUGRIOUA
  • Autor: U. JAHN
  • Autor: María Utrera López UPM
  • Autor: A. TRAMPERT
  • Autor: J. RISTIC
  • Autor: Enrique Calleja Pardo UPM
  • Autor: P. GIBART GIBART
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica