Artículos en revistas:
Z. BOUGRIOUA, P. GIBART, E. CALLEJA, U. JAHN, A. TRAMPERT, J. RISTIC, M. UTRERA, G. NATAF "Growth of free-standing GaN using Pillar-Epitaxial Lateral Overgrowth from GaN nanocolumns" Journal of Crystal Growth, 309, 113-115 (2007) ISSN: 0022-0248
Z. BOUGRIOUA, P. GIBART, E. CALLEJA, U. JAHN, A. TRAMPERT, J. RISTIC, M. UTRERA, G. NATAF "Growth of free-standing GaN using Pillar-Epitaxial Lateral Overgrowth from GaN nanocolumns" Journal of Crystal Growth, 309, 113-115 (2007) ISSN: 0022-0248
Año:2007
Áreas de investigación
-
Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| Relacionado con línea de investigación de Nanoestructuras de nitruros | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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J CRYST GROWTH |
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ISSN
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0022-0248 |
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Factor de impacto JCR
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1,95 |
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Información de impacto
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Volumen
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DOI
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Número de revista
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309 |
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Desde la página
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113 |
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Hasta la página
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115 |
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Mes
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SIN MES |
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Ranking
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Participantes
- Autor: G. NATAF
- Autor: Z. BOUGRIOUA
- Autor: U. JAHN
- Autor: María Utrera López (UPM)
- Autor: A. TRAMPERT
- Autor: J. RISTIC
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
- Autor: P. GIBART GIBART
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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