Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
1/f electrical noise due to space charge regions
Año:2007
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
This paper shows how a backgating noise coming from boundary space charge regions becomes a 1/f resistance noise due to the biasing of the samples. This overseen noise that is Lorentzian with no bias applied, becomes a continuous set of Lorentzian terms in biased samples that synthesizes a 1/f resistance noise. The ratio fhigh/flow for the frequency band where 1/f noise appears is an exponential function of the bias voltage measured in thermal voltage units VT = kT/q at the temperature T of the experiment. Grain boundaries and planar interfaces are powerful sources of this 1/f electrical noise.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
J EUR CERAM SOC
ISSN
0955-2219
Factor de impacto JCR
1,562
Información de impacto
Volumen
27
DOI
Número de revista
0
Desde la página
4011
Hasta la página
4015
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Jose Ignacio Izpura Torres (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microsistemas y materiales electrónicos
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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