Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
J. PEREIRO, C. RIVERA, J.L. PAU, A. NAVARRO, S. FERNÁNDEZ-GARRIDO, S. GRZANKA, M. LESZCZYNSKI, E. MUÑOZ "Design of InGaN based photodetectors by internal field engineering" IEEE Electron Devices, Conf Proc- 2007 Spanish Conference, 296-299 (2007) ISSN: 0741-3106
Año:2007
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con línea de investigación de Sensores, Detectores de UV y Transistores HEMT
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
IEEE T ELECTRON DEV
ISSN
0741-3106
Factor de impacto JCR
2,165
Información de impacto
Volumen
DOI
Número de revista
0
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Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: S. GRZANKA
  • Autor: Juan Pereiro Viterbo (UPM)
  • Autor: Jose Luis Pau Vizcaino (UPM)
  • Autor: Sergio Fernández Garrido (UPM)
  • Autor: M. LESZCZYNSKI
  • Autor: Carlos Rivera De Lucas (UPM)
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Autor: Álvaro Navarro Tobar (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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