Artículos en revistas:
J. M. ULLOA, C. ÇELEBI, P. M. KOENRAAD, A. SIMON, E. GAPIHAN, A. LETOUBLON, N. BERTRU, I. DROUZAS, D.J. MOWBRAY, M.J. STEER, M. HOPKINSON "Atomic scale study of the impact of the strain and composition of the capping layer on the formation of InAs quantum dots"Journal of Applied Physics, 101, 081707-081712 (2007) ISSN: 0021-8979
J. M. ULLOA, C. ÇELEBI, P. M. KOENRAAD, A. SIMON, E. GAPIHAN, A. LETOUBLON, N. BERTRU, I. DROUZAS, D.J. MOWBRAY, M.J. STEER, M. HOPKINSON "Atomic scale study of the impact of the strain and composition of the capping layer on the formation of InAs quantum dots"Journal of Applied Physics, 101, 081707-081712 (2007) ISSN: 0021-8979
Año:2007
Áreas de investigación
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Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| Relacionado con línea de investigación de Crecimiento expitaxial de nitruos del grupo III para aplicaciones en biosensores y detectores de IR y línea de investigación de Nanoestructuras de Nitruros | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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J APPL PHYS |
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ISSN
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0021-8979 |
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Factor de impacto JCR
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2,171 |
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Información de impacto
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Volumen
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101 |
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DOI
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Número de revista
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0 |
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Desde la página
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Mes
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SIN MES |
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Ranking
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Participantes
- Autor: C. ÇELEBI, P
- Autor: A. LETOUBLON
- Autor: D.J. MOWBRAY
- Autor: I. DROUZAS
- Autor: M.J. STEER
- Autor: E. GAPIHAN
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
- Autor: M. HOPKINSON
- Autor: P. M. KOENRAAD
- Autor: N. BERTRU
- Autor: A. SIMON
- Autor: J.M ULLOA
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- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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