Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Capítulo de libro:
J. PEREIRO, J.L. PAU, C. RIVERA, A. NAVARRO, E. MUÑOZ, R. CZERNECKI, G. TARGOWSKI, P. PRYSTAWKO, M. KRYSKO, M. LESZCZYNSKI, T. SUSKI "InGaN growth applied to the fabrication of photodetector devices" in"Nitrides and dilute nitrides: Growth, physics and devices" 2007 Editorial (si libro): Research Signpost, ISBN: 81-7895-250-5 Lugar de publicación: India
Año:2007
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con línea de actividad de Sensores, Detectores, láseres, Transistores y nanoestructuras.
Internacional
Si
DOI
Edición del Libro
2007
Editorial del Libro
Research Signpost,
ISBN
81-7895-250-5
Serie
0
Título del Libro
Nitrides and dilute nitrides: Growth, physics and devices"
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: G. TARGOWSKI
  • Autor: M. KRYSKO
  • Autor: P. PRYSTAWKO,
  • Autor: M. LESZCZYNSKI
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Autor: Juan Pereiro Viterbo (UPM)
  • Autor: J.L PAU
  • Autor: R. CZERNECKI
  • Autor: Carlos Rivera De Lucas (UPM)
  • Autor: T. SUSKI
  • Autor: Álvaro Navarro Tobar (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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