Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Emitter degradation in quantum dot intermediate band solar cells
Año:2007
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
The characteristics of intermediate band solar cells containing 10, 20, and 50 InAs quantum dot (QD) layers embedded in otherwise "standard" (Al,Ga)As solar cell structures have been compared. The short-circuit current densities of the cells decreased and the quantum efficiencies of the devices showed a concomitant reduction in the minority carrier lifetime in the p emitters with increasing number of QD layers. Dislocations threading up from the QDs toward the surface of the cells, and revealed by bright field scanning transmission electron microscopy, are the most likely cause of the deterioration in the electrical performance of the cells. (c) 2007 American Institute of Physics.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPL PHYS LETT
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,596
Información de impacto
Volumen
90
DOI
Número de revista
23
Desde la página
2335
Hasta la página
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Nair López Martínez (UPM)
  • Autor: Elisa Antolin Fernandez (UPM)
  • Autor: Antonio Luque Lopez (UPM)
  • Autor: Enrique Cánovas Díaz (UPM)
  • Autor: Antonio Marti Vega (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Silicio y nuevos conceptos para células solares
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física
S2i 2023 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)