Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Patentes:
Método para la supresión de la recombinación no radiativa en materiales dopados con centros profundos
Año:2008
Áreas de investigación
  • Circuitos electrónicos,
  • Dispositivos electrónicos,
  • Materiales magnéticos
Datos
Descripción
Procedimiento para obtener materiales semiconductores con niveles situados cerca del centro de la banda prohibida (niveles profundos) que no sufren la recombinación no radiativa por emisión de múltiples fonones (MPE) asociada a dichos niveles. Consiste en incrementar el dopaje del semiconductor con aquellas impurezas que producen los centros profundos hasta alcanzar el punto en que se causa una transición de Mott entre las funciones de onda de los electrones atrapados en los centros, de tal forma que éstas quedan distribuidas a lo largo de todo el semiconductor. Cuando esto ocurre, desaparecen las variaciones locales de densidad de carga eléctrica y con ellas la recombinación por MPE. A partir de los materiales resultantes (semiconductores con tres bandas energéticas separadas (1),(2) y (3)) se pueden fabricar dispositivos optoelectrónicos (células solares, fotodetectores, láseres, etc) capaces de utilizar de forma eficiente (y si el caso lo requiere, simultánea) transiciones electrónicas radiativas en rangos energéticos no convencionales.
Internacional
Si
Estado
Concedida
Referencia Patente Prioritaria
P200503055
En explotación
No
Fecha solicitud
13/12/2005
Titulares aparte de la UPM
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Antonio Marti Vega (UPM)
  • Autor: Cesar Tablero Crespo (UPM)
  • Autor: Antonio Luque Lopez (UPM)
  • Autor: Elisa Antolin Fernandez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Departamento: Electrónica Física
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