Memorias de investigación
Communications at congresses:
R. Cuerdo, F. Calle, A. F. Braña, Y. Cordier, M. Azize, N. Baron, S. Chenot, E. Muñoz "High temperature behaviour of AlGaN/GaN HEMTs on Si(111) and sapphire substrates" 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS07) Las Vegas (USA) 16 al 21 de septiembre de 2007
Year:2007

Research Areas
  • Electronics engineering

Information
Abstract
Relacionado con línea de investigación de Dispositvos de ondas acústicas superficiales (SAW)y Transistores HEMT
International
Si
Congress
7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS07) Las Vegas (USA) 16 al 21 de septiembre de 2007
960
Place
Las Vegas (USA)
Reviewers
No
ISBN/ISSN
Start Date
16/09/2007
End Date
21/09/2007
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Participants
  • Autor: M. Azize
  • Autor: S. Chenot
  • Autor: Roberto Cuerdo Bragado UPM
  • Autor: Alejandro Francisco Braña De Cal UPM
  • Autor: Y. Cordier
  • Autor: Fernando Calle Gomez UPM
  • Autor: N. Baron
  • Autor: Elias Muñoz Merino UPM

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica