Ponencias en congresos:
R. Cuerdo, F. Calle, A. F. Braña, Y. Cordier, M. Azize, N. Baron, S. Chenot, E. Muñoz "High temperature behaviour of AlGaN/GaN HEMTs on Si(111) and sapphire substrates" 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS07) Las Vegas (USA) 16 al 21 de septiembre de 2007
R. Cuerdo, F. Calle, A. F. Braña, Y. Cordier, M. Azize, N. Baron, S. Chenot, E. Muñoz "High temperature behaviour of AlGaN/GaN HEMTs on Si(111) and sapphire substrates" 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS07) Las Vegas (USA) 16 al 21 de septiembre de 2007
Año:2007
Áreas de investigación
-
Industria electrónica
Datos
|
Descripción
|
|
|---|---|
| Relacionado con línea de investigación de Dispositvos de ondas acústicas superficiales (SAW)y Transistores HEMT | |
|
Internacional
|
Si |
|
Nombre congreso
|
7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS07) Las Vegas (USA) 16 al 21 de septiembre de 2007 |
|
Tipo de participación
|
960 |
|
Lugar del congreso
|
Las Vegas (USA) |
|
Revisores
|
No |
|
ISBN o ISSN
|
|
|
DOI
|
|
|
Fecha inicio congreso
|
16/09/2007 |
|
Fecha fin congreso
|
21/09/2007 |
|
Desde la página
|
|
|
Hasta la página
|
|
|
Título de las actas
|
|
Participantes
- Autor: M. Azize
- Autor: S. Chenot
- Autor: Roberto Cuerdo Bragado (UPM)
- Autor: Alejandro Francisco Braña De Cal (UPM)
- Autor: Y. Cordier
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
- Autor: N. Baron
- Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2023 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)