Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Amplificador MMIC de potencia y banda ancha (2-6GHz) en tecnología HEMT de GaN
Año:2008
Áreas de investigación
  • Procesado y análisis de la señal
Datos
Descripción
In this paper, we report the design of a GaN-based broad-band power amplifier using as active devices GaN high electron mobility transistors (HEMTs) grown on SiC substrates. The circuit is a 2-stage amplifier with microstrip corporative division/combination networks. Using devices with 0.5 um gate length and 1 mm gate width, a small-signal gain higher than 15 dB was obtained with 2-6 GHz bandwidth. An output power of 12.5W at 25 V is achieved in broadband and a saturation power of 18W at 4.5GHz is reported. The measured power-added efficiency is about 25-30% at 25 V.
Internacional
No
Nombre congreso
XXIII Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio. URSI 2008
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Madrid, España
Revisores
Si
ISBN o ISSN
978-84-612-6291-5
DOI
Fecha inicio congreso
22/09/2008
Fecha fin congreso
24/09/2008
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Título de las actas
CD Actas del XXIII Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio. URSI 2008
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Jesus Grajal De la Fuente (UPM)
  • Autor: María Angeles González Garrido (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microondas y Radar
  • Departamento: Señales, Sistemas y Radiocomunicaciones
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