Ponencias en congresos:
I. W. D. Drouzas, J. M. Ulloa, P. M. Koenraad, D. J. Mowbray, M. A. Migliorato, M. J. Steer, H.Y. Liu, M. Hopkinson
"InAs self-assembled quantum dots capped with a GaAsSb strain reducing layer: Morphology of a nanostructure with novel optical properties"
International Conference on Electronic Properties of Two-dimensional Systems and Modulated Semiconductor Structures (EP2DS 17- MSS 13)
Génova (Italia)
15 al 20 de julio de 2007
Año:2007
Áreas de investigación
Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con línea de investigación de Nanoestructuras de nitruros
Internacional
Si
Nombre congreso
International Conference on Electronic Properties of Two-dimensional Systems and Modulated Semiconductor Structures (EP2DS 17 ¿ MSS 13)
Génova (Italia)
15 al 20 de julio de 2007
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Génova (Italia)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
DOI
Fecha inicio congreso
15/07/2007
Fecha fin congreso
20/07/2007
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Título de las actas
Esta actividad pertenece a memorias de
investigación
Participantes
Autor: H.Y. Liu
Autor: I. W. D. Drouzas
Autor: M. A. Migliorato
Autor: M. Hopkinson
Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Autor: D. J. Mowbray
Autor: M. J. Steer
Autor: P. M. Koenraad
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM