Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Patentes:
Excess noise reduction method for electronic device, involves performing connection between arranged doping layer and epilayer of FET transistor for eliminating transverse current and thermal noise
Año:2007
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
The method involves using a thermodynamic screen layer that is arranged beneath the electronic device to block the transverse currents which are responsible for excess noise. A doping barrier layer (2) is arranged opposite to an epilayer (4) on the substrate (1) for reducing the transverse currents. A connection is made between the ohmic contact (7) of barrier layer and output from the epilayer of FET transistor which is used in the electronic device to eliminate the thermal noise from the capacitor located beneath the transistor.
Internacional
No
Estado
Concedida
Referencia Patente Prioritaria
WO2007054595-A2
En explotación
No
Fecha solicitud
18/05/2007
Titulares aparte de la UPM
Universidad Politécnica de Madrid
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Jose Ignacio Izpura Torres (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Microsistemas y materiales electrónicos
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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