Proyecto de I+D+i:
Desarrollo de procedimientos de medida de transistores de GaN
Desarrollo de procedimientos de medida de transistores de GaN
Año:2008
Áreas de investigación
-
Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| Relacionado con las lineas de investigción del Grupo | |
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Internacional
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No |
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Tipo de proyecto
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Proyectos y convenios de financiación privada |
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Entidad financiadora
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0TT |
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Nacionalidad Entidad
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Sin nacionalidad |
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Tamaño de la entidad
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Desconocido |
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Fecha concesión
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01/10/2001 |
Participantes
- Director: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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