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Photoluminiscence enhancement in quaternay III-nitrides alloys grown by molecular beam epitaxy with increasing Al content
Photoluminiscence enhancement in quaternay III-nitrides alloys grown by molecular beam epitaxy with increasing Al content
Año:2008
Áreas de investigación
-
Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| Relacionado con las lineas de investigacion del Grupo | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
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ISSN
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0021-8979 |
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Factor de impacto JCR
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2,171 |
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Información de impacto
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Volumen
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103 |
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DOI
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Número de revista
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4 |
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Desde la página
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046104-1 |
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Hasta la página
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046104-3 |
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Mes
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ENERO |
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Ranking
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Participantes
- Autor: R. GAGO
- Autor: Sergio Fernandez Garrido (UPM)
- Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
- Autor: Andres Redondo Cubero (UPM)
- Autor: Juan Pereiro Viterbo (UPM)
- Autor: Fernando González-Posada Flores (UPM)
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
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- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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