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Effect of the growth temperature and the AlN mole fraction on In incorporation and properties of quaternary III-nitride layers grown by molecular beam epitaxy
Effect of the growth temperature and the AlN mole fraction on In incorporation and properties of quaternary III-nitride layers grown by molecular beam epitaxy
Año:2008
Áreas de investigación
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Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| Relacionado con las lineas de investigacion delGrupo | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
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ISSN
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0021-8979 |
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Factor de impacto JCR
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2,171 |
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Información de impacto
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Volumen
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104 |
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DOI
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Número de revista
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0 |
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Desde la página
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083510 |
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Hasta la página
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083514 |
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Mes
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ENERO |
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Ranking
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Ver publicación en Archivo digital upm
Participantes
- Autor: A. TRAMPERT
- Autor: e. LUNA
- Autor: J. CHRISTEN
- Autor: Sergio Fernandez Garrido (UPM)
- Autor: Juan Pereiro Viterbo (UPM)
- Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
- Autor: F. BERTRAM
- Autor: Andres Redondo Cubero (UPM)
- Autor: R. GAGO
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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