Memorias de investigación
Artículos en revistas:
A comprehensive diagram to grow InAlN alloys by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Año:2008

Áreas de investigación
  • Industria electrónica

Datos
Descripción
Relacionado con las lineas de investigacion del Grupo
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
PHYSICAL REVIEW LETTERS
ISSN
0031-9007
Factor de impacto JCR
6,944
Información de impacto
Volumen
93
DOI
Número de revista
0
Desde la página
191907
Hasta la página
191909
Mes
ENERO
Ranking

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Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica