Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
The effect of rapid thermal annealing on the photoluminescence of InAsN/InGaAs dot-in-a-well structures
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con las lineas de investigacion del Grupo
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
ISSN
0022-3727
Factor de impacto JCR
2,2
Información de impacto
Volumen
41
DOI
Número de revista
0
Desde la página
065413
Hasta la página
065414
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: J. MIGUEL-SANCHEZ
  • Autor: Raquel Gargallo Caballero (UPM)
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez (UPM)
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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