Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Capítulo de libro:
InGaN growth applied to the fabrication of photodetector devices
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
VER LINEA DE INVESTIGACION DEL GRUO
Internacional
Si
DOI
Edición del Libro
2008
Editorial del Libro
Research Signpost
ISBN
000-00-0000-000-0
Serie
Título del Libro
Nitrides and dilute nitrides: Growth, physics and devices ISBN 978-81-7895-250
Desde página
265
Hasta página
288
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: G. TARGOWSKI
  • Autor: M. KRYSKO
  • Autor: P. PYSTAWKO
  • Autor: M. LESZCZYNSKI
  • Autor: Juan Pereiro Viterbo (UPM)
  • Autor: Álvaro Navarro Tobar (UPM)
  • Autor: J.L PAU VIZCAÍNO
  • Autor: R. CZERNECKI
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Autor: T. SUSKI
  • Autor: Carlos Rivera De Lucas (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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