Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Study of SiNx:Hy passivant layers for AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Year:2008

Research Areas
  • Electronics engineering

Information
Abstract
VER LINEA DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO
International
Si
JCR
Si
Title
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS
ISBN
0370-1972
Impact factor JCR
1,071
Impact info
Volume
5
Journal number
2
From page
518
To page
521
Month
ENERO
Ranking
Participants
  • Autor: A. JIMENEZ
  • Autor: A.F BRAÑA
  • Autor: Andres Redondo Cubero UPM
  • Autor: Fernando González-Posada Flores UPM
  • Autor: R. GAGO
  • Autor: Elias Muñoz Merino UPM
  • Autor: Fatima Romero Rojo UPM

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica