Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Observation of giant photocurrent gain in highly doped (In,Ga)N/GaN MQW-based photodiodes
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACION DEL GRUPO
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,596
Información de impacto
Volumen
DOI
Número de revista
0
Desde la página
233510-1
Hasta la página
233510-3
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Autor: Carlos Rivera De Lucas (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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