Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Effects of N2 plasma pre-treatment on the SiN Passivation of AlGaN/GaN HEMT
Year:2008

Research Areas
  • Electronics engineering

Information
Abstract
RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO
International
Si
JCR
Si
Title
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
ISBN
0018-9383
Impact factor JCR
2,165
Impact info
Volume
29
Journal number
3
From page
209
To page
211
Month
ENERO
Ranking
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica