Artículos en revistas:
Fabrication and stress relief modelling of GaN based MEMS test structures grown by MBE on Si(111)
Fabrication and stress relief modelling of GaN based MEMS test structures grown by MBE on Si(111)
Año:2008
Áreas de investigación
-
Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACION | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS |
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ISSN
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0370-1972 |
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Factor de impacto JCR
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1,071 |
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Información de impacto
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Volumen
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5 |
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DOI
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Número de revista
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0 |
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Desde la página
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1974 |
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Hasta la página
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1976 |
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Mes
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ENERO |
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Ranking
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Ver publicación en Archivo digital upm
Participantes
- Autor: Eugenio Sillero Herrero (UPM)
- Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
- Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
- Autor: David Lopez-Romero Moraleda (UPM)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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