Artículos en revistas:
Structural properties of GaAsN/GaAs quantum wells studied at the atomic scale by cross-sectional scanning tunnelling microscopy
Año:2008
Áreas de investigación
- Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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APPLIED PHYSICS LETTERS |
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ISSN
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0003-6951 |
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Factor de impacto JCR
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3,596 |
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Información de impacto
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Volumen
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93 |
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DOI
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Número de revista
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0 |
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Desde la página
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083103 |
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Hasta la página
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083105 |
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Mes
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ENERO |
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Ranking
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: PM. KOENRAAD
- Autor: Jose Maria Ulloa Herrero UPM
- Autor: M. HOPKINSON
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología