Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Photoemission and Optical Studies of Electron Accumulation at InN and In-rich InGaN Surfaces
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO
Internacional
Si
Nombre congreso
International Worshop on Nitride Semiconductor 2008
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Montreux (Suiza), 2008
Revisores
No
ISBN o ISSN
0000-0000
DOI
Fecha inicio congreso
06/10/2008
Fecha fin congreso
10/10/2008
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Título de las actas
Photoemission and Optical Studies of Electron Accumulation at InN and In-rich InGaN Surfaces
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: C.F MCCONVILLE
  • Autor: P.D.C KING
  • Autor: Juan Pereiro Viterbo (UPM)
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
  • Autor: T.D VEAL
  • Autor: Javier Grandal Quintana (UPM)
  • Autor: L.R BAILEY
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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