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Descripción
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| RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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International Worshop on Nitride Semiconductor 2008 |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Montreux (Suiza), 2008 |
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Revisores
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No |
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ISBN o ISSN
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0000-0000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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06/10/2008 |
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Fecha fin congreso
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10/10/2008 |
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Título de las actas
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Photoemission and Optical Studies of Electron Accumulation at InN and In-rich InGaN Surfaces |