Ponencias en congresos:
Time-resolved photoluminescence of GaN nanocolumns grown by molecular beam epitaxy on Si Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2008) Montreux (Suiza), 2008
Time-resolved photoluminescence of GaN nanocolumns grown by molecular beam epitaxy on Si Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2008) Montreux (Suiza), 2008
Año:2008
Áreas de investigación
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Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACION DEL GRUPO | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2008) |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Montreux (Suiza), 2008 |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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0000-0000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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06/10/2008 |
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Fecha fin congreso
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10/10/2008 |
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Hasta la página
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Título de las actas
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Time-resolved photoluminescence of GaN nanocolumns grown by molecular beam epitaxy on Si |
Participantes
- Autor: B. DEVEAUD-PLEDRAN
- Autor: P. LEFEBVRE
- Autor: P. CORFDIR
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
- Autor: E. CALLEJA
- Autor: J-D GANIERE
- Autor: J. RISTIC
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- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
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