Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Te doping of GaAs using metalorganic vapor phase epitaxy: volatile vs. non volatile
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
The incorporation of Te into the crystal lattice, when it is used as an n-type dopant for GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy, is studied. For this purpose, several growth temperatures, total pressures, growth rates, and substrate misorientations have been analyzed, from which it is concluded that depending on the substrate misorientation and total pressure used, the Te behaves like a volatile dopant or a nonvolatile dopant as result of the enhancement or minimization of its adsorption onto the growth surface.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN
0021-8979
Factor de impacto JCR
2,171
Información de impacto
Volumen
104
DOI
Número de revista
0
Desde la página
114906
Hasta la página
114908
Mes
ENERO
Ranking
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Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física