Ponencias en congresos:
In-situ GaN decomposition analysis by quadrupole mass spectrometry and reflection high-energy electron diffraction International workshop on nitrides Semiconductors 2008, 6-10 de Octubre 2008 Montreux, (Suiza), 2008
In-situ GaN decomposition analysis by quadrupole mass spectrometry and reflection high-energy electron diffraction International workshop on nitrides Semiconductors 2008, 6-10 de Octubre 2008 Montreux, (Suiza), 2008
Año:2008
Áreas de investigación
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Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACION DEL GRUPO | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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International workshop on nitrides Semiconductors 2008, 6-10 de Octubre 2008 Montreux, (Suiza), 2008 |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Montreux, (Suiza), 2008 |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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0000-0000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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06/10/2008 |
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Fecha fin congreso
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10/10/2008 |
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Hasta la página
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Título de las actas
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In-situ GaN decomposition analysis by quadrupole mass spectrometry and reflection high-energy electron diffraction |
Participantes
- Autor: J.S. SPECK
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
- Autor: G. KOBLMÜLLER
- Autor: Sergio Fernandez Garrido (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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