Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
The influence of the Ga content on the N incorporation in InAsN and GaInNAs Quantum Dots 7th International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces (ESPS-NIS), Les Arcenaulx, Marseille (Francia), 2008
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
RELACIONADO CON LINEAS DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO
Internacional
Si
Nombre congreso
The influence of the Ga content on the N incorporation in InAsN and GaInNAs Quantum Dots 7th International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces (ESPS-NIS), Les Arcenaulx, Marseille (Francia), 2008
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Les Arcenaulx, Marseille (Francia), 2008
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000-0000
DOI
Fecha inicio congreso
13/10/2008
Fecha fin congreso
15/10/2008
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Título de las actas
The influence of the Ga content on the N incorporation in InAsN and GaInNAs Quantum Dots 7th International Workshop on Epitaxial
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: M. HOPKINSON
  • Autor: Raquel Gargallo Caballero (UPM)
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
  • Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez (UPM)
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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