|
Descripción
|
|
|---|---|
| RELACIONADO CON LINEAS DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO | |
|
Internacional
|
Si |
|
Nombre congreso
|
The influence of the Ga content on the N incorporation in InAsN and GaInNAs Quantum Dots 7th International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces (ESPS-NIS), Les Arcenaulx, Marseille (Francia), 2008 |
|
Tipo de participación
|
960 |
|
Lugar del congreso
|
Les Arcenaulx, Marseille (Francia), 2008 |
|
Revisores
|
Si |
|
ISBN o ISSN
|
0000-0000 |
|
DOI
|
|
|
Fecha inicio congreso
|
13/10/2008 |
|
Fecha fin congreso
|
15/10/2008 |
|
Desde la página
|
0 |
|
Hasta la página
|
0 |
|
Título de las actas
|
The influence of the Ga content on the N incorporation in InAsN and GaInNAs Quantum Dots 7th International Workshop on Epitaxial |