Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Electroluminescence analysis of 1.3-1.5 µm InAs quantum dot LEDs with (Ga,In)(N,As) capping layers 35th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) Friburgo (Alemania), 2008
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACION DEL GRUPO
Internacional
Si
Nombre congreso
35th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) Friburgo (Alemania), 2008
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Friburgo (Alemania), 2008
Revisores
No
ISBN o ISSN
0000-0000
DOI
Fecha inicio congreso
21/09/2008
Fecha fin congreso
24/06/2008
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Título de las actas
Electroluminescence analysis of 1.3-1.5 µm InAs quantum dot LEDs with (Ga,In)(N,As) capping layers
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: B. DAMILANO
  • Autor: M. Al KHALFIOU
  • Autor: Miguel Montes Bajo (UPM)
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
  • Autor: M. HUGUES
  • Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez (UPM)
  • Autor: J. MASSIES
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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