Conferencias:
Growth and characterization of Nitrides-based (GaN, AlN, InN) nanostructures European Materials Research Society Meeting (E-MRS) 2008 Symposium G (Wide band gap semiconductor nanostructures for optoelectronic applications) Estrasburgo (Francia), 2008
Growth and characterization of Nitrides-based (GaN, AlN, InN) nanostructures European Materials Research Society Meeting (E-MRS) 2008 Symposium G (Wide band gap semiconductor nanostructures for optoelectronic applications) Estrasburgo (Francia), 2008
Año:2008
Áreas de investigación
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Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO | |
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Internacional
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Si |
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ISSN o ISBN
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0000-0000 |
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Entidad relacionada
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European Materials Research Society Meeting (E-MRS) 2008 Symposium G (Wide band gap semiconductor nanostructures for optoelectronic applications) Estrasburgo (Francia), 2008 |
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Nacionalidad Entidad
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Sin nacionalidad |
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Lugar del congreso
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Estrasburgo (Francia), 2008 |
Participantes
- Autor: A. TRAMPERT
- Autor: J.M CALLEJA
- Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
- Autor: S. LAZIC
- Autor: Javier Grandal Quintana (UPM)
- Autor: E LUNA
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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