Conferencias:
Growth and characterization of Nitrides-based (GaN, AlN, InN) nanostructures
European Materials Research Society Meeting (E-MRS) 2008
Symposium G (Wide band gap semiconductor nanostructures for optoelectronic applications)
Estrasburgo (Francia), 2008
Año:2008
Áreas de investigación
Industria electrónica
Datos
Descripción
RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO
Internacional
Si
ISSN o ISBN
0000-0000
Entidad relacionada
European Materials Research Society Meeting (E-MRS) 2008
Symposium G (Wide band gap semiconductor nanostructures for optoelectronic applications)
Estrasburgo (Francia), 2008
Nacionalidad Entidad
Sin nacionalidad
Lugar del congreso
Estrasburgo (Francia), 2008
Esta actividad pertenece a memorias de
investigación
Participantes
Autor: A. TRAMPERT
Autor: J.M CALLEJA
Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Autor: S. LAZIC
Autor: Javier Grandal Quintana (UPM)
Autor: E LUNA
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología