Memorias de investigación
Conferences:
Growth and characterization of Nitrides-based (GaN, AlN, InN) nanostructures European Materials Research Society Meeting (E-MRS) 2008 Symposium G (Wide band gap semiconductor nanostructures for optoelectronic applications) Estrasburgo (Francia), 2008
Year:2008
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO
International
Si
0000-0000
Entity
European Materials Research Society Meeting (E-MRS) 2008 Symposium G (Wide band gap semiconductor nanostructures for optoelectronic applications) Estrasburgo (Francia), 2008
Entity Nationality
Sin nacionalidad
Place
Estrasburgo (Francia), 2008
Participants
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica