Artículos en revistas:
Composition and luminiscence of AllnGaNAN layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Composition and luminiscence of AllnGaNAN layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Año:2008
Áreas de investigación
-
Industria electrónica
Datos
|
Descripción
|
|
|---|---|
| RELACIONADO CON LINEAS DE INVESTIGACION | |
|
Internacional
|
Si |
|
JCR del ISI
|
Si |
|
Título de la revista
|
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
|
ISSN
|
0021-8979 |
|
Factor de impacto JCR
|
2,171 |
|
Información de impacto
|
|
|
Volumen
|
104 |
|
DOI
|
|
|
Número de revista
|
0 |
|
Desde la página
|
073537 |
|
Hasta la página
|
073539 |
|
Mes
|
ENERO |
|
Ranking
|
|
Ver publicación en Archivo digital upm
Participantes
- Autor: K. BEJTKA
- Autor: P.R. EDWARDS
- Autor: Sergio Fernandez Garrido (UPM)
- Autor: R.W MARTIN
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2023 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)