Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Growth and defect analysis of GaInP nucleation layers on germanium by MOVPE
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
The growth of III-V semiconductors on Ge substrates is a key issue for multijunction solar cells (MJC).
Internacional
Si
Nombre congreso
14th International Conference on Metal Organic Vapour Phase Epitaxy
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Metz (Francia)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
99-999-99999
DOI
Fecha inicio congreso
01/06/2008
Fecha fin congreso
06/06/2008
Desde la página
339
Hasta la página
340
Título de las actas
Proceedings
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Pilar Espinet González (UPM)
  • Autor: Beatriz Galiana Blanco (UPM)
  • Autor: Carlos Algora Del Valle (UPM)
  • Autor: Ivan Garcia Vara (UPM)
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Departamento: Electrónica Física
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
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