|
Descripción
|
|
|---|---|
| El objetivo de este proyecto es crecer nanohilos epitaxiales de SiGe, con diámetros en el rango de las decenas de nanómetros, sobre obleas de Si y modular la composición del nanohilo a lo largo de su longitud, para así disponer desde homoestructuras, Si o Ge, a heteroestructuras SiGe de la composición deseada | |
|
Internacional
|
No |
|
Tipo de proyecto
|
Proyectos y convenios en convocatorias públicas competitivas |
|
Entidad financiadora
|
Ministerio de Educación y Ciencia |
|
Nacionalidad Entidad
|
ESPAÑA |
|
Tamaño de la entidad
|
Gran Empresa (>250) |
|
Fecha concesión
|
22/11/2007 |