Ponencias en congresos:
The influence of Ga composition of GaInAsN QDs on N incorporation.
Año:2008
Áreas de investigación
- Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACION DEL GRUPO | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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7th International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Marsella (Francia) |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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0000-0000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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21/04/2008 |
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Fecha fin congreso
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25/04/2008 |
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Desde la página
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Hasta la página
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Título de las actas
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7th International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces |
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: M. HOPKINSON
- Autor: Raquel Gargallo Caballero UPM
- Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez UPM
- Autor: Jose Maria Ulloa Herrero UPM
- Autor: Elias Muñoz Merino UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica