Ponencias en congresos:
E. Sillero, D. López-Romero, A. Bengoechea, M. A. Sánchez-García, F. Calle "Fabrication and stress relief modelling of GaN based MEMS test structures grown by MBE on Si(111)" 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS07) Las Vegas (USA) 16 al 21 de septiembre de 2007
E. Sillero, D. López-Romero, A. Bengoechea, M. A. Sánchez-García, F. Calle "Fabrication and stress relief modelling of GaN based MEMS test structures grown by MBE on Si(111)" 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS07) Las Vegas (USA) 16 al 21 de septiembre de 2007
Año:2007
Áreas de investigación
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Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| Relacionado con línea de investigacion de Microsistemas optoelectromecánicos | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS07) Las Vegas (USA) 16 al 21 de septiembre de 2007 |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Las Vegas (USA) |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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DOI
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Fecha inicio congreso
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16/09/2007 |
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Fecha fin congreso
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21/09/2007 |
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Desde la página
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Hasta la página
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Título de las actas
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Participantes
- Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
- Autor: Eugenio Sillero Herrero (UPM)
- Autor: David Lopez-Romero Moraleda (UPM)
- Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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