Ponencias en congresos:
J. M. Ulloa, C. Çelebi, P. Offermans, P.M. Koenraad, A. Simon, E. Gapihan, A. Letoublon, N. Bertru, I. Drouzas, D.J. Mowbray, M.J. Steer, M. Hopkinson "Capping of InAs quantum dots studied at the atomic scale by cross-sectional scanning tunneling microscopy" Microscopy of Semiconducting Materials XV Cambridge (UK) 2 al 5 de abril de 2007
J. M. Ulloa, C. Çelebi, P. Offermans, P.M. Koenraad, A. Simon, E. Gapihan, A. Letoublon, N. Bertru, I. Drouzas, D.J. Mowbray, M.J. Steer, M. Hopkinson "Capping of InAs quantum dots studied at the atomic scale by cross-sectional scanning tunneling microscopy" Microscopy of Semiconducting Materials XV Cambridge (UK) 2 al 5 de abril de 2007
Año:2007
Áreas de investigación
-
Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| Relacionado con línea de investigación de Crecimiento Epitaxial de nitruros del grupo III y Nanoestructuras de nitruros | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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Microscopy of Semiconducting Materials XV Cambridge (UK) 2 al 5 de abril de 2007 |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Cambridge (UK) |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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DOI
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Fecha inicio congreso
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02/04/2007 |
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Fecha fin congreso
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05/04/2007 |
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Desde la página
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Hasta la página
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Título de las actas
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Participantes
- Autor: C. ÇELEBI
- Autor: P.M KOENRAAD
- Autor: A. SIMON
- Autor: I. DROUZAS
- Autor: M. HOPKINSON
- Autor: N. BERTRU
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
- Autor: D.J MOWBRAY
- Autor: P. Offermans
- Autor: M.J STEER
- Autor: A. LETOUBLON
- Autor: E. GAPIHAN
- Autor: J.M. ULLOA
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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