Artículos en revistas:
High temperature assessment of nitride-based devices
High temperature assessment of nitride-based devices
Año:2008
Áreas de investigación
-
Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACION DEL GRUPO | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY |
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ISSN
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1005-0302 |
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Factor de impacto JCR
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0,468 |
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Información de impacto
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Volumen
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19 |
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DOI
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Número de revista
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0 |
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Desde la página
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189 |
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Hasta la página
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193 |
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Mes
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ENERO |
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Ranking
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Participantes
- Autor: J.L. PAU VIZCAÍNO
- Autor: Jorge Pedros Ayala (UPM)
- Autor: Roberto Cuerdo Bragado (UPM)
- Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
- Autor: A.F BRAÑA
- Autor: Álvaro Navarro Tobar (UPM)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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