Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Influence of Surface Hydroxylation on 3-Aminopropyltriethoxysilane Growth Mode during Chemical Functionalization of GaN Surfaces: An Angle-Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy Study
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACION DEL GRUPO
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
LANGMUIR
ISSN
0743-7463
Factor de impacto JCR
4,009
Información de impacto
Volumen
24
DOI
Número de revista
0
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8667
Hasta la página
8671
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: A. ARRANZ
  • Autor: D. GARCIA-FRESNADILLO
  • Autor: Álvaro Navarro Tobar UPM
  • Autor: G. ORELLANA
  • Autor: Elias Muñoz Merino UPM
  • Autor: C. PALACIO
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica