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Influence of Surface Hydroxylation on 3-Aminopropyltriethoxysilane Growth Mode during Chemical Functionalization of GaN Surfaces: An Angle-Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy Study
Influence of Surface Hydroxylation on 3-Aminopropyltriethoxysilane Growth Mode during Chemical Functionalization of GaN Surfaces: An Angle-Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy Study
Año:2008
Áreas de investigación
-
Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACION DEL GRUPO | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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LANGMUIR |
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ISSN
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0743-7463 |
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Factor de impacto JCR
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4,009 |
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Información de impacto
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Volumen
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24 |
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DOI
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Número de revista
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0 |
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Desde la página
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8667 |
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Hasta la página
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8671 |
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Mes
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ENERO |
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Ranking
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Participantes
- Autor: A. ARRANZ
- Autor: D. GARCIA-FRESNADILLO
- Autor: Álvaro Navarro Tobar (UPM)
- Autor: G. ORELLANA
- Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
- Autor: C. PALACIO
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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