Memorias de investigación
Artículos en revistas:
GaInAs/(Al)GaAs quantum-dot lasers with high wavelength stability
Año:2008

Áreas de investigación
  • Industria electrónica

Datos
Descripción
Se refiere el diseño, fabricación y caracterización de laseres de punto cuantico con gran estabilidad en la longitud de onda de emisión
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
ISSN
0268-1242
Factor de impacto JCR
1,899
Información de impacto
Volumen
23
DOI
10.1088/0268-1242/23/8/085022
Número de revista
8
Desde la página
85022
Hasta la página
85027
Mes
JULIO
Ranking

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: Alfredo Martin Minguez UPM
  • Autor: Emil Pavelescu University of Kassel
  • Autor: Ignacio Esquivias Moscardo UPM
  • Autor: Joham Peter Reithmaier University of Kassel
  • Autor: C. Gilfert University of Kassel

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Fotónica Aplicada
  • Departamento: Tecnología Fotónica