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Abstract
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| Se fabricaron laseres con puntos cuanticos de InGaAs/(Al)GaAs emitiendo en 1060 nm. La optimización de la geometría de los puntos cuanticos permitio obtener laseres de area ancha de mas de 4.5 W de potencia en regimen pulsado y baja densidad de corriente de transparencia de 83 A/cm2 | |
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International
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Si |
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Congress
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IEEE 21st International Semiconductor Laser Conference. ISLC 2008. |
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960 |
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Place
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Sorrento (Italia) |
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Reviewers
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Si |
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ISBN/ISSN
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978-1-4244-1782-7 |
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10.1109/ISLC.2008.4636031 |
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Start Date
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14/09/2008 |
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End Date
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18/09/2008 |
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From page
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105 |
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To page
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Semiconductor Laser Conference, 2008. ISLC 2008. IEEE 21st International |