Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Influence of the crystallization process on the luminescence of multilayers of SiGe nanocrystals embedded in SiO2
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Multilayers of SiGe nanocrystals embedded in an oxide matrix have been fabricated by low-pressure chemical vapor deposition of SiGe and SiO2 onto Si wafers (in a single run at 390 ◦C and 50mTorr, using GeH4, Si2 H6 and O2) followed by a rapid thermal annealing treatment to crystallize the SiGe nanoparticles. The main emission band is located at 400 nm in both cathodoluminescence and photoluminescence experiments at 80K and also at room temperature.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECH
ISSN
0921-5107
Factor de impacto JCR
1,33
Información de impacto
Volumen
147
DOI
Número de revista
2
Desde la página
200
Hasta la página
204
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Participante: A.C Prieto
  • Participante: M.I. Ortiz
  • Participante: J Jiménez
  • Autor: Jesus Sangrador Garcia (UPM)
  • Autor: Tomas Rodriguez Rodriguez (UPM)
  • Participante: C Ballesteros
  • Autor: Andres Rodriguez Dominguez (UPM)
  • Participante: M. Avella
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Tecnología Electrónica
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