Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Formation of Ge nanocristals and evolution of the oxide matrix in annealed LPCVD SiGeO films
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
SiGeO films were deposited by LPCVD using Si2H6, GeH4 and O2 as reactive gases and furnace annealed to segregate the possible excess of Si and Ge in the form of nanocrystals embedded in an oxide matrix. For low GeH4VSi2H6 flow ratios and deposition temperatures of 450 C or lower, the deposited film consists of a SiO2 matrix incorporating Ge. No Ge oxides and no nanocrystals are detected. After annealing of the samples with SiO2 matrices at temperatures of 600 C or higher, quasi-spherical isolated Ge nanocrystals with diameters ranging from 4.5 to 9 nm and homogeneously distributed throughout the whole film thickness are formed. In the samples deposited with low GeH4VSi2H6 flow ratios, the original SiO2 matrix holds its composition
Internacional
Si
Nombre congreso
9th International Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductor
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Toledo, España
Revisores
Si
ISBN o ISSN
DOI
Fecha inicio congreso
29/06/2008
Fecha fin congreso
03/07/2008
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Título de las actas
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Participante: A Kling
  • Participante: C Ballesteros
  • Autor: Andres Rodriguez Dominguez (UPM)
  • Autor: Jesus Sangrador Garcia (UPM)
  • Participante: M.I. Ortiz
  • Autor: Tomas Rodriguez Rodriguez (UPM)
  • Participante: B Morana
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Tecnología Electrónica
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